produkty

Produkty

Zakończenie kołnierzowe

Na końcu obwodu instalowane są końcówki kołnierzowe, które pochłaniają sygnały przesyłane w obwodzie i zapobiegają ich odbiciom, wpływając w ten sposób na jakość transmisji w systemie obwodów.

Zacisk kołnierzowy jest montowany poprzez spawanie pojedynczego rezystora końcowego z kołnierzami i łatami.Rozmiar kołnierza jest zwykle projektowany w oparciu o kombinację otworów montażowych i wymiarów rezystancji zacisków.Istnieje również możliwość dostosowania do wymagań użytkownika.


  • :
  • Szczegóły produktu

    Tagi produktów

    Zakończenie kołnierzowe

    Zakończenie kołnierzowe
    Główne dane techniczne:

    Moc znamionowa: 5-1500 W;
    Materiały podłoża: BeO, AlN, Al2O3
    Nominalna wartość rezystancji: 50 Ω
    Tolerancja rezystancji: ± 5%, ± 2%, ± 1%
    Współczynnik temperaturowy: <150 ppm/℃
    Temperatura pracy: -55 ~ +150 ℃
    Powłoka kołnierza: opcjonalnie niklowanie lub srebrzenie
    Norma ROHS: Zgodna z
    Obowiązująca norma: Q/RFTYTR001-2022
    Długość przewodu: L zgodnie z danymi w karcie katalogowej
    (można dostosować do wymagań klienta)

    zxczxc1
    Moc
    (W)
    Częstotliwość
    Zakres
    Wymiar (jednostka: mm) PodłożeMateriał Konfiguracja Arkusz danych
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 GHz 13,0 4,0 9,0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2.1 Al2O3  FIG.1   RFT50A-05TM1304
    11,0 4,0 7.6 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2.2 Al2O3  FIG.1   RFT50A-05TM1104
    9,0 4,0 7,0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2.1 Al2O3  FIG2   RFT50A-05TM0904(R,L,I)
    10 W 4 GHz 7.7 5,0 5.1 2.5 1,5 2.5 3.5 1,0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7705((R,L))
    6 GHz 13,0 4,0 9,0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2.1 Al2O3  FIG.1   RFT50A-10TM1304
    AlN FIG.1   RFT50N-10TJ1304
    11,0 4,0 7.6 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2.2 Al2O3  FIG.1   RFT50A-10TM1104
    AlN FIG.1   RFT50N-10TJ1104
    9,0 4,0 7,0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2.1 Al2O3 FIG2   RFT50A-10TM0904(R,L,I)
      AlN FIG2   RFT50N-10TJ0904(R,L,I)
    8 GHz 13,0 4,0 9,0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2.1 BeO FIG.1   RFT50-10TM1304
    11,0 4,0 7.6 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2.2 BeO FIG.1   RFT50-10TM1104
    9,0 4,0 7,0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 GHz 7.7 5,0 5.1 2.5 1,5 2.5 3.5 1,0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7705I
    20 W 4 GHz 7.7 5,0 5.1 2.5 1,5 2.5 3.5 1,0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-20TM7705((R,L))
    6 GHz 13,0 4,0 9,0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2.1 AlN FIG.1   RFT50N-20TJ1304
    11,0 4,0 7.6 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2.2 AlN FIG.1   RFT50N-20TJ1104
    9,0 4,0 7,0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2.1 AlN FIG2   RFT50N-20TJ0904(R,L,I)
    8 GHz 13,0 4,0 9,0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2.1 BeO FIG.1   RFT50-20TM1304
    11,0 4,0 7.6 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2.2 BeO FIG.1   RFT50-20TM1104
    9,0 4,0 7,0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 GHz 7.7 5,0 5.1 2.5 1,5 2.5 3.5 1,0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7705I
    30 W 6 GHz 16.0 6,0 13,0 6,0 1,0 2.0 3.0 1,0 5,0 / 2.1 AlN FIG.1   RFT50N-30TJ1606
    BeO FIG.1   RFT50-30TM1606
    20.0 6,0 14,0 6,0 1,5 2.5 3.0 1,0 5,0 / 3.2 AlN FIG.1   RFT50N-30TJ2006
    BeO FIG.1   RFT50-30TM2006
    13,0 6,0 10,0 6,0 1,5 2.5 3.0 1,0 5,0 / 3.2 AlN FIG2   RFT50N-30TJ1306(R,L,I)
    3.0 BeO FIG2   RFT50-30TM1306(R,L,I)
    60 W 6 GHz 16.0 6,0 13,0 6,0 1,0 2.0 3.0 1,0 5,0 / 2.1 AlN FIG.1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO FIG.1   RFT50-60TM1606
    20.0 6,0 14,0 6,0 1,5 2.5 3.0 1,0 5,0 / 3.2 AlN FIG.1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO FIG.1   RFT50-60TM2006
    13,0 6,0 10,0 6,0 1,5 2.5 3.0 1,0 5,0 / 3.2 AlN FIG2   RFT50N-60TJ1306(R,L,I)
    3.2 BeO FIG2   RFT50-60TM1306(R,L,I)
    法兰式终端RYS.3,4,5
    Moc
    (W)
    Częstotliwość
    Zakres
    Wymiary (jednostka: mm) Podłoże
    Materiał
    Konfiguracja Arkusz danych (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 W 3 GHz 24,8 9,5 18.4 9,5 2.9 4.8 5.5 1.4 6,0 / 3.1 BeO FIG.1   RFT50-100TM2595
    4 GHz 16.0 6,0 13,0 9,0 1,0 2.0 2.5 1,0 6,0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6,0 14,0 9,0 1,5 2.5 3.0 1,0 5,0 / 3.2 BeO FIG.1   RFT50N-100TJ2006
    24,8 6,0 18.4 6,0 2.8 3.8 4.6 1,0 5,0 / 3.2 BeO FIG.1   RFT50-100TM2506
    16.0 10,0 13,0 10,0 1,5 2.6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG.4   RFT50-100TJ1610(R,L,I)
    23.0 10,0 17.0 10,0 1,5 3.0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG.1   RFT50-100TJ2310
    24,8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 BeO FIG.1   RFT50-100TJ2510
    5 GHz 13,0 6.35 10,0 6.35 1,5 2.5 3.2 1,0 5,0 / 3.2 BeO FIG2   RFT50-100TJ1363(R,L,I)
    16.6 6.35 12,0 6.35 1,5 2.5 3.5 1,0 5,0 / 2.5 BeO FIG.1   RFT50-100TM1663
    6 GHz 16.0 6,0 13,0 8.9 1,0 2.0 2.5 1,0 5,0 / 2.1 AlN FIG.1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6,0 14,0 8.9 1,5 2.5 3.0 1,0 5,0 / 3.2 AlN FIG.1   RFT50N-100TJ2006B
    8 GHz 20.0 6,0 14,0 8.9 1,5 3.0 3.5 1,0 5,0 / 3.2 AlN FIG.1   RFT50N-100TJ2006C
    150 W 3 GHz 16.0 10,0 13,0 10,0 1,5 2.6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG.4   RFT50-150TM1610(R,L,I)
    22.0 9,5 14,0 6.35 1,5 2.6 3.0 1.4 5,0 / 4,0 AIN FIG.1   RFT50N-150TJ2295
    24,8 9,5 18.4 9,5 2.9 4.8 5.5 1.4 6,0 / 3.1 BeO FIG.1   RFT50-150TM2595
    24,8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 BeO FIG.1   RFT50-150TM2510
    4 GHz 16.0 10,0 13,0 10,0 1,5 2.6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG.4   RFT50-150TJ1610(R,L,I)
    23.0 10,0 17.0 10,0 1,5 3.0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-150TJ2310
    24,8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 BeO FIG.1   RFT50-150TJ2510
    200 W 3 GHz 24,8 9,5 18.4 9,5 2.9 4.8 5.5 1.4 6,0 / 3.1 BeO FIG.1   RFT50-200TM2595
    24,8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 BeO FIG.1   RFT50-200TM2510
    4 GHz 16.0 10,0 13,0 10,0 1,5 2.6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG2   RFT50-200TM1610(R,L,I)
    23.0 10,0 17.0 10,0 1,5 3.0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-200TJ2310
    24,8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 BeO FIG.1   RFT50-150TJ2510
    10 GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5,0 6,0 2.4 6,0 / 4,0 BeO FIG.1   RFT50-200TM3213B
    250 W 3 GHz 23.0 10,0 17.0 12,0 1,5 3.0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-250TM2310
    24,8 10,0 18.4 12,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 BeO FIG.1   RFT50-250TM2510
    27,0 10,0 21.0 12,0 2.5 4,0 5.5 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG.1   RFT50-250TM2710
    10 GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5,0 6,0 2.4 6,0 / 4,0 BeO FIG.1   RFT50-250TM3213B
    300 W 3 GHz 23.0 10,0 17.0 12,0 1,5 3.0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG.1   RFT50-300TM2310
    24,8 10,0 18.4 12,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 BeO FIG.1   RFT50-300TM2510
    27,0 10,0 21.0 12,0 2.5 4,0 5.5 1.4 6,0 / 3.2 BeO FIG.1   RFT50-300TM2710
    10 GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5,0 6,0 2.4 6,0 / 4,0 BeO FIG.1   RFT50-300TM3213B
    400 W 2 GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5,0 6,0 2.4 6,0 / 4,0 BeO FIG.1   RFT50-400TM3213
    500 W 2 GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5,0 6,0 2.4 6,0 / 4,0 BeO FIG.1   RFT50-500TM3213
    800 W 1 GHz 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6.9 6,0 7,0 12.7 4.2 BeO FIG5   RFT50-800TM4826
    1000 W 1 GHz 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6.9 6,0 7,0 12.7 4.2 BeO FIG5   RFT50-1000TM4826
    1500 W 0,8 GHz 50,0 78,0 40,0 26,0 5,0 8.2 9,0 6,0 7,0 15,0 4.2 BeO FIG5   RFT50-1500TM5078

    Przegląd

    Kołnierz jest zwykle wykonany z miedzi platerowanej niklem lub srebrem.Podłoże oporowe jest zwykle wykonane z tlenku berylu, azotku glinu i tlenku glinu, zgodnie z wymaganiami dotyczącymi mocy i warunków rozpraszania ciepła.

    Zakończenie kołnierzowe, podobnie jak zakończenie wyprowadzone, służy głównie do pochłaniania fal sygnałowych przesyłanych do końca obwodu, zapobiegania wpływowi odbicia sygnału na obwód i zapewniania jakości transmisji systemu obwodu.

    Zakończenie kołnierzowe charakteryzuje się łatwą instalacją w porównaniu do rezystorów krosowych ze względu na kołnierz i otwory montażowe na kołnierzu.


  • Poprzedni:
  • Następny:

  • Napisz tutaj swoją wiadomość i wyślij ją do nas