-
RFTXXN-60RM1306 Rezystor RF Rezystorowy
Model RFTXXN-60RM1306 Moc 60 W Rezystancja XX ω (10 ~ 2000 Ω) Tolerancja rezystancji ± 5% Pojemność 2,9 PF@100 Ω Współczynnik temperatury <150 ppm/℃ Podłoże ALN Okładka AL2O3 Montaż moc mosiężnego 99,99% Pure Srebrny element rezystancyjny Gruba filmowa filmowa Filmowa temperatura -55 do +150 ° C. (Jednostka: mm) Długość przewodu ołowiu może spełniać wymagania klientów Tolerancję wielkości ： 5%, chyba że Sugges nie przedstawiono inaczej ... -
RFTXX-60RM2006F Rezystor RF Rezystor RF
Model RFTXX-60RM2006F Moc 60 W Rezystancja XX ω (10 ~ 2000 Ω) Tolerancja rezystancji ± 5% Pojemność 1,2 PF@100 Ω Współczynnik temperatury <150ppm/℃ Podłoże BEO Pokrywa AL2O3 Montaż moc mosiężnego 99,99% Pure Silver Resoodrestentowy element Gruby filmowy filmowy Film-55 do +150 ° C. (Jednostka: mm) Długość przewodu ołowiu może spełniać wymagania klientów Tolerancję wielkości ： 5%, chyba że Sugges nie przedstawiono inaczej ... -
RFTXX-05CR2550B RESOR RF
Model RFTXX-05CR2550B Moc 5 W Rezystancja XX ω (10 ~ 3000 Ω) Tolerancja rezystancji ± 5% Współczynnik temperatury <150 ppm/℃ Podłoże podłoża Element oporowy BEO Temperatura pracy Filmowa Temperatura robocza -55 do +150 ° C (patrz DE Moc De-Rating) Rysunek Outline (jednostka: MM) Sugerowane Profitowanie refrowinu mocy P/N Zużycie STOUNG UTYLIWA PRZEZ PRZEZ PRZEKAZANIE PRZEKŁADA PRZEKŁADU PRZEKŁADU PREZENTOWANIA PROCETOWANIE PROJEKTOWANIE nowo zakupionych części przekracza 6 miesięcy, zwrócono uwagę na Weldabilit ... -
RED RESPORED RF RFORD RFED RFTXX-250RM1313K
Model RFTXX-250RM1313K Moc 250 W Rezystancja XX ω ~ (10-1000 Ω) Tolerancja rezystancji ± 5% Pojemność 2,0 PF@100 Ω Współczynnik temperatury <150ppm/℃ Podłoże podłoża BEO Pokrywa BEO AL2O3 Ołoda ołowiowa Miecznikowa srebrna srebrna Płytkowna Srebrna Srebrna Piecznik Gęsta Temperatura obserwacyjna Folia -55 do +150 ° C (patrz DE Moc DE-Ocena) Sugerowana mocowanie Re-Rating Regonation PROFIL P/N Oznaczenie Użyj uwagi ■ Po okresie przechowywania nowo zakupionych komponentów przekracza 6 ponów ... -
RED REATOR RF RFORD RFET-RFTXX-10RM5025C
Model RFTXX-10RM5025C Moc 10 W Rezystancja XX ω ~ (10-3000 Ω) Tolerancja rezystancji ± 5% Pojemność 1,8 PF@100 Ω Współczynnik temperatury <150ppm/℃ Podłoże BEO Pokrywa AL2O3 ołów 99,99% Pure Srebrny Oporowy element Grubość filmu Temperatura działania filmu -55 do +150 ° C (patrz DE Proced Procedure Procedure Process De-Rating. Profil reflow P/N Oznaczenie Użyj uwagi ■ Po okresie przechowywania nowo zakupionych komponentów przekracza 6 miesięcy ... -
RFTXXN-10CR2550C Rezystor RF
Model RFTXXN-10CR2550C Moc 10 W Rezystancja XX ω (10 ~ 3000 Ω) Tolerancja rezystancji ± 5% Współczynnik temperatury <150ppm/℃ Podłoża Element oporowy ALN Grubość Filmowa temperatura pracy -55 do +150 ° C (patrz de moca de-de-degating) Sugerowana procedury montażowe Procedury montażowe Profit refrowinowy P/N oznaczenie Zastosowanie uwagi ■ Po okresie 60 ° C (Patrz de moca) Miesiące należy zwrócić uwagę na spawalność przed użyciem. To jest rekomendowane ... -
REPTOR RF RF RF RFET RFET
Sugerowane procedury montażowe Profit odkształcenia zasilania Profit rozdzielania P/N Usuń Uwaga ■ Po okresie przechowywania nowo zakupionych części przekracza 6 miesięcy, zwrócono uwagę na spawalność przed użyciem. Zaleca się przechowywanie po opakowaniu próżniowym. ■ Wywierć przelotki termiczne przez PCB i wypełnij lutową. ■ Preferowane jest spawanie w zakresie odpawania, patrz krzywa rozdzielczości ■ Aby spełnić wymagania rysunku, należy zainstalować chłodnica o wystarczającym rozmiarze. ■ W razie potrzeby ... -
RFTXX-30CR2550TA Rezystor RF
Model RFTXX-30CR2550TA Moc 30 W Rezystancja XX ω (10 ~ 3000 Ω) Tolerancja rezystancji ± 5% Współczynnik temperatury <150ppm/℃ Podłoże elementu oporowego BEO Grubość Folia Miesiące należy zwrócić uwagę na spawalność przed użyciem. Jest to zalecane ... -
RFTXX-30CR6363C Rezystor RF Rezystorowy
Model RFTXX-30CR6363C Moc 30 W Rezystancja XX ω (10 ~ 3000 Ω) Tolerancja rezystancji ± 5% Współczynnik temperatury <150ppm/℃ Podłoże elementu oporowego BEO Grubość Folia Miesiące należy zwrócić uwagę na spawalność przed użyciem. Jest to zalecane ... -
RFTXX-30CR2550W Rezystor RF
Model RFTXX-30CR2550W Moc 30 W Rezystancja XX ω (10 ~ 3000 Ω) Tolerancja rezystancji ± 5% Współczynnik temperatury <150ppm/℃ Podłoże Element oporowy BEO Grubość Folia Temperatura operacyjna -55 do +150 ° C (patrz De Power DE Rating) Sugerowane procedury montażowe Procedury mocy Profil refrowingowy P/N Oznaczenie Zastosowanie ■ Zastosowanie Zastosowanie Nowocześnione części 6. Miesiące należy zwrócić uwagę na spawalność przed użyciem. Jest to zalecane ... -
RFTXXN-02CR2550B, rezystor chipów, rezystor RF
Model RFTXXN-02CR2550B Moc 2 W Rezystancja XX ω (10 ~ 3000 Ω) Tolerancja rezystancji ± 5% Współczynnik temperatury <150pm/℃ Podłoże element oporowy ALN Grubość Folia Przed użyciem należy zwrócić uwagę na spawalność. Jest to zalecane ... -
RFTXXA-02CR3065B Rezystor Chip RF
Model RFTXXA-02CR3065B MOC 2 W Rezystancja XX ω (10 ~ 3000 Ω) Tolerancja rezystancji ± 5% Współczynnik temperatury <150pm/℃ Podstawa Podstawa AL2O3 Element rezystancyjny Grubość Filmowa Temperatura robocza -55 do +150 ° C przekracza 6 miesięcy, przed użyciem należy zwrócić uwagę na spawalność. To polecenie ...
