produkty

Produkty

  • Zakończenie kołnierzowe

    Zakończenie kołnierzowe

    Zaciski kołnierzowe są instalowane na końcu obwodu, pochłaniając sygnały przesyłane w obwodzie i zapobiegając ich odbiciom, co wpływa na jakość transmisji w układzie. Zacisk kołnierzowy jest montowany poprzez przyspawanie jednoprzewodowego rezystora zaciskowego do kołnierzy i łatek. Rozmiar kołnierza jest zazwyczaj dobierany na podstawie kombinacji otworów montażowych i wymiarów rezystora zaciskowego. Możliwe jest również dostosowanie do wymagań użytkowych klienta.

  • RFTXXN-100AJ8957-3 Tłumik przewodowy DC~3,0 GHz Tłumik RF

    RFTXXN-100AJ8957-3 Tłumik przewodowy DC~3,0 GHz Tłumik RF

    Model RFTXXN-100AJ8957-3 (XX = wartość tłumienia) Impedancja 50 Ω Zakres częstotliwości DC~3,0 GHz VSWR 1,20 maks. Moc znamionowa 100 W Wartość tłumienia 13、20、30dB Tolerancja tłumienia ±1,0dB Współczynnik temperaturowy <150ppm/℃ Materiał podłoża AlN Porcelana Materiał kapelusza Średni ołów 99,99% srebro wysokiej próby Technologia rezystancyjna Gruba warstwa Temperatura pracy od -55 do +150°C (patrz de Power De-rating) Rysunek poglądowy (jednostka: mm/cal) Długość przewodu można dostosować zgodnie z...
  • Tłumik mikropaskowy

    Tłumik mikropaskowy

    Tłumik mikropaskowy to urządzenie, które odgrywa rolę w tłumieniu sygnału w paśmie częstotliwości mikrofalowych. Przekształcenie go w stały tłumik jest szeroko stosowane w takich dziedzinach jak komunikacja mikrofalowa, systemy radarowe, komunikacja satelitarna itp., zapewniając kontrolowane tłumienie sygnału w obwodach. Układy scalone tłumika mikropaskowego, w przeciwieństwie do powszechnie stosowanych układów tłumienia typu patch, muszą być montowane w osłonie powietrznej o określonych rozmiarach za pomocą połączenia koncentrycznego, aby uzyskać tłumienie sygnału od wejścia do wyjścia.

    Na życzenie dostępny jest niestandardowy projekt.

  • RFT20N-60AM6363-6 Tłumik przewodowy DC~6,0 GHz Tłumik RF

    RFT20N-60AM6363-6 Tłumik przewodowy DC~6,0 GHz Tłumik RF

    Model RFT20N-60AM6363-6 (XX = wartość tłumienia) Impedancja 50 Ω Zakres częstotliwości DC~6,0 GHz VSWR 1,25 maks. Moc znamionowa 60 W Wartość tłumienia 20 dB Tolerancja tłumienia ±0,8 dB Współczynnik temperaturowy <150 ppm/℃ Materiał podłoża AlN Porcelana Materiał kapelusza Al2O3 Ołów 99,99% srebro wysokiej próby Technologia rezystancyjna Gruba warstwa Temperatura pracy od -55 do +150°C (patrz de Power De-rating) Rysunek techniczny (jednostka: mm/cal) Długość przewodu można dostosować do potrzeb klienta...
  • RFTXX-60AM6363B-3 Tłumik przewodowy DC~3,0 GHz Tłumik RF

    RFTXX-60AM6363B-3 Tłumik przewodowy DC~3,0 GHz Tłumik RF

    Model RFTXX-60AM6363B-3 (XX = wartość tłumienia) Impedancja 50 Ω Zakres częstotliwości DC~3,0 GHz VSWR 1,25 maks. Moc znamionowa 60 W Wartość tłumienia 01-10 dB/16 dB/20 dB Tolerancja tłumienia ±0,6 dB/±0,8 dB/±1,0 dB Współczynnik temperaturowy <150 ppm/℃ Materiał podłoża BeO Porcelana Materiał kapelusza Al2O3 Ołów 99,99% srebro wysokiej próby Technologia rezystancyjna Gruba warstwa Temperatura pracy od -55 do +150°C (patrz de Obniżanie mocy) Rysunek poglądowy (jednostka: mm/cal) Długość przewodu można obliczyć...
  • RFTXXA-05AM0404-3 Tłumik przewodowy DC~3,0 GHz Tłumik RF

    RFTXXA-05AM0404-3 Tłumik przewodowy DC~3,0 GHz Tłumik RF

    Model RFTXXA-05AM0404-3 (XX = wartość tłumienia) Impedancja 50 Ω Zakres częstotliwości DC~3,0 GHz VSWR 1,20 maks. Moc znamionowa 5 W Wartość tłumienia (dB) 01-10/15, 17, 20/25, 30 Tolerancja tłumienia (dB) ±0,6/±0,8/±1,0 Współczynnik temperaturowy <150 ppm/℃ Materiał podłoża Al2O3 Porcelana Materiał kapelusza Al2O3 Ołów 99,99% srebro wysokiej próby Technologia rezystancyjna Gruba warstwa Temperatura pracy -55 do +150°C (patrz de Obniżanie mocy) Rysunek poglądowy (jednostka: mm/cal) Długość przewodu ...
  • Cyrkulator mikropaskowy

    Cyrkulator mikropaskowy

    Cyrkulator mikropaskowy to powszechnie stosowane urządzenie mikrofalowe RF, służące do transmisji sygnału i izolacji w obwodach. Wykorzystuje technologię cienkowarstwową do tworzenia obwodu na obracającym się ferrycie magnetycznym, a następnie dodaje pole magnetyczne, aby to osiągnąć. Montaż pierścieniowych elementów mikropaskowych zazwyczaj odbywa się metodą lutowania ręcznego lub łączenia drutu złotego z paskami miedzianymi. Konstrukcja cyrkulatorów mikropaskowych jest bardzo prosta w porównaniu do cyrkulatorów koncentrycznych i wbudowanych. Najbardziej oczywistą różnicą jest brak wnęki, a przewodnik cyrkulatora mikropaskowego jest wytwarzany w procesie cienkowarstwowym (napylanie próżniowe) w celu utworzenia zaprojektowanego wzoru na obrotowym ferrycie. Po galwanizacji, powstały przewodnik jest mocowany do podłoża z obrotowego ferrytu. Na wykresie umieszcza się warstwę izolacyjną i ustala pole magnetyczne na tym medium. Dzięki tak prostej konstrukcji powstał cyrkulator mikropaskowy.

    Zakres częstotliwości 2,7 do 40 GHz.

    Zastosowania wojskowe, kosmiczne i komercyjne.

    Niska tłumienność, wysoka izolacja, możliwość obsługi dużej mocy.

    Na życzenie dostępny jest niestandardowy projekt.

     

  • Cyrkulator szerokopasmowy

    Cyrkulator szerokopasmowy

    Cyrkulator szerokopasmowy jest ważnym elementem systemów komunikacji radiowej (RF), oferując szereg zalet, które czynią go idealnym do różnych zastosowań. Cyrkulatory te zapewniają szerokopasmowy zasięg, gwarantując efektywną pracę w szerokim zakresie częstotliwości. Dzięki możliwości izolowania sygnałów, zapobiegają one zakłóceniom pochodzącym z sygnałów spoza pasma i zachowują integralność sygnałów w paśmie. Jedną z głównych zalet cyrkulatorów szerokopasmowych jest ich doskonała, wysoka wydajność izolacji. Jednocześnie te pierścieniowe urządzenia charakteryzują się dobrą charakterystyką fal stojących, redukując odbite sygnały i zapewniając stabilną transmisję sygnału.

    Zakres częstotliwości od 56MHz do 40GHz, BW do 13,5GHz.

    Zastosowania wojskowe, kosmiczne i komercyjne.

    Niska tłumienność, wysoka izolacja, możliwość obsługi dużej mocy.

    Na życzenie dostępny jest niestandardowy projekt.

  • RFTXX-60CA6363B-3 Tłumik chipowy DC~3,0 GHz Tłumik RF

    RFTXX-60CA6363B-3 Tłumik chipowy DC~3,0 GHz Tłumik RF

    Model RFTXX-60CA6363B-3 (XX = wartość tłumienia) Zakres rezystancji 50 Ω Zakres częstotliwości DC~3,0 GHz VSWR 1,25 maks. Moc 60 W Wartość tłumienia (dB) 0,1-10 dB/11-20 dB/21-30 dB Tolerancja tłumienia (dB) ±0,6 dB/±0,8 dB/±1,0 dB Współczynnik temperaturowy <150 ppm/℃ Materiał podłoża BeO Technologia rezystancji Gruba warstwa Temperatura pracy od -55 do +150°C (patrz de Obniżanie mocy) Metoda instalacji Obniżanie mocy Diagram czasu i temperatury lutowania rozpływowego Oznaczenie P/N ...
  • RFTXXN-20CA5025C-3 Tłumik chipowy DC~3,0 GHz Tłumik RF

    RFTXXN-20CA5025C-3 Tłumik chipowy DC~3,0 GHz Tłumik RF

    Model RFTXXN-20CA5025C-3 (XX = wartość tłumienia) Zakres rezystancji 50 Ω Zakres częstotliwości DC~3,0 GHz VSWR 1,25 maks. Moc 20 W Wartość tłumienia (dB) 0,1-10 dB/11-20 dB/21-30 dB Tolerancja tłumienia (dB) ±0,6 dB/±0,8 dB/±1,0 dB Współczynnik temperaturowy <150 ppm/℃ Materiał podłoża AlN Technologia rezystancji Gruba warstwa Temperatura pracy od -55 do +150°C (patrz de Obniżanie mocy) Typowa wydajność: Wykres 2 dB Wykres 20 dB Wykres 6 dB Wykres 30 dB Sposób instalacji...
  • RFTXXN-10CA5025C-6 Tłumik chipowy DC~6,0 GHz Tłumik RF

    RFTXXN-10CA5025C-6 Tłumik chipowy DC~6,0 GHz Tłumik RF

    Model RFTXXN-10CA5025C-6 (XX = wartość tłumienia) Zakres rezystancji 50 Ω Zakres częstotliwości DC~6,0 GHz VSWR 1,25 maks. Moc 10 W Wartość tłumienia (dB) 01-10 dB/11-20 dB Tolerancja tłumienia (dB) ±0,6 dB/±0,8 dB Współczynnik temperaturowy <150 ppm/℃ Materiał podłoża AlN Technologia rezystancji Gruba warstwa Temperatura pracy od -55 do +150°C (patrz de Obniżanie mocy) Typowa wydajność: Wykres 6 dB Wykres 20 dB Metoda instalacji Obniżanie mocy Czas lutowania rozpływowego i ...
  • Rezystor RFTXX-250RM1313K z wyprowadzeniami

    Rezystor RFTXX-250RM1313K z wyprowadzeniami

    Model RFTXX-250RM1313K Moc 250 W Rezystancja XX Ω~ (10-1000Ω dostosowywana) Tolerancja rezystancji ±5% Pojemność 2,0 PF@100Ω Współczynnik temperaturowy <150ppm/℃ Podłoże BeO Powłoka AL2O3 Ołów Miedziane srebrzenie Element rezystancyjny Gruba warstwa Temperatura pracy od -55 do +150°C (patrz de Obniżanie mocy) Zalecane procedury montażu Obniżanie mocy Profil rozpływowy Oznaczenie P/N Należy zachować ostrożność ■ Po upływie okresu przechowywania nowo zakupionych komponentów przez okres dłuższy niż 6 mies...