produkty

Produkty

  • Rezystor chipowy RFTXX-20CR2550TA Rezystor RF

    Rezystor chipowy RFTXX-20CR2550TA Rezystor RF

    Model RFTXX-20CR2550TA Moc 20 W Rezystancja XX Ω ~(10~3000Ω konfigurowalna) Tolerancja rezystancji ±5% Współczynnik temperaturowy <150 ppm/℃ Podłoże Element rezystancyjny BeO Gruba warstwa Temperatura pracy od -55 do +150°C (patrz „Obniżanie mocy”) Sugerowane procedury montażu Obniżanie mocy Profil spawania rozpływowego Oznaczenie P/N Uwaga ■ Po upływie okresu przechowywania nowo zakupionych części powyżej 6 miesięcy, należy sprawdzić ich spawalność przed użyciem. Zaleca się...
  • Rezystor chipowy RFTXXN-10CR2550TA Rezystor RF

    Rezystor chipowy RFTXXN-10CR2550TA Rezystor RF

    Model RFTXXN-10CR2550TA Moc 10 W Rezystancja XX Ω (10~3000 Ω konfigurowalna) Tolerancja rezystancji ±5% Współczynnik temperaturowy <150 ppm/℃ Podłoże AlN Element rezystancyjny Gruba warstwa Temperatura pracy od -55 do +150°C (patrz „Obniżanie mocy”) Sugerowane procedury montażu Obniżanie mocy Profil spawania rozpływowego Oznaczenie P/N Uwaga ■ Po upływie 6 miesięcy od daty zakupu nowo zakupionych części, należy sprawdzić ich spawalność przed użyciem. Zaleca się...
  • RFTXX-150RM2310 Rezystor kołnierzowy Rezystor RF

    RFTXX-150RM2310 Rezystor kołnierzowy Rezystor RF

    Model RFTXX-150RM2310 Moc 150 W Rezystancja XX Ω (10~1500Ω dostosowywana) Tolerancja rezystancji ±5% Pojemność 5,6 PF@100Ω Współczynnik temperaturowy <150ppm/℃ Podłoże BeO Pokrywa AL2O3 Kołnierz montażowy Mosiądz Ołów Srebrzenie miedziane Element rezystancyjny Gruba warstwa Temperatura pracy -55 do +150°C (patrz de Obniżanie mocy) Rysunek poglądowy (jednostka: mm) Długość przewodu doprowadzającego może spełniać wymagania klienta Tolerancja rozmiaru: 5%, chyba że określono inaczej Su...
  • RFTXX-100RM2295 Rezystor kołnierzowy Rezystor RF

    RFTXX-100RM2295 Rezystor kołnierzowy Rezystor RF

    Model RFTXX-100RM2295 Moc 100 W Rezystancja XX Ω (10~1500Ω dostosowywana) Tolerancja rezystancji ±5% Pojemność 3,9 PF@100Ω Współczynnik temperaturowy <150ppm/℃ Podłoże BeO Kołnierz montażowy Mosiądz Przewód Srebro o czystości 99,99% Element rezystancyjny Gruba warstwa Temperatura pracy od -55 do +150°C (patrz de Obniżanie mocy) Rysunek poglądowy (jednostka: mm) Długość przewodu może spełniać wymagania klienta Tolerancja rozmiaru: 5%, o ile nie określono inaczej Sugerowane naprężenie re...
  • RFTXX-100RM2510B Rezystor kołnierzowy Rezystor RF

    RFTXX-100RM2510B Rezystor kołnierzowy Rezystor RF

    Model RFTXX-100RM2510B Moc 100 W Rezystancja XX Ω (10~1000Ω dostosowywana) Tolerancja rezystancji ±5% Pojemność 4,0 PF@100Ω Współczynnik temperaturowy <150ppm/℃ Podłoże BeO Pokrywa AL2O3 Kołnierz montażowy Mosiądz Ołów Miedziane srebrzenie Element rezystancyjny Gruba warstwa Temperatura pracy -55 do +150°C (patrz de Obniżanie mocy) Rysunek poglądowy (jednostka: mm) Długość przewodu doprowadzającego może spełniać wymagania klienta Tolerancja rozmiaru: 5%, chyba że określono inaczej S...
  • RFTXX-10RM7750 Rezystor kołnierzowy Rezystor RF

    RFTXX-10RM7750 Rezystor kołnierzowy Rezystor RF

    Model RFTXX-10RM7750 Moc 10 W Rezystancja XX Ω (10~3000Ω dostosowywana) Tolerancja rezystancji ±5% Pojemność 1,2 PF Współczynnik temperaturowy <150ppm/℃ Podłoże BeO Pokrywa AL2O3 Kołnierz montażowy Przewód mosiężny Srebro o czystości 99,99% Element rezystancyjny Gruba warstwa Temperatura pracy od -55 do +150°C (patrz de Obniżanie mocy) Rysunek poglądowy (jednostka: mm) Długość przewodu może spełniać wymagania klienta Tolerancja rozmiaru: 5%, o ile nie określono inaczej Sugerowana st...
  • RFTXXN-60RM1306 Rezystor kołnierzowy Rezystor RF

    RFTXXN-60RM1306 Rezystor kołnierzowy Rezystor RF

    Model RFTXXN-60RM1306 Moc 60 W Rezystancja XX Ω (10~2000Ω dostosowywana) Tolerancja rezystancji ±5% Pojemność 2,9 PF@100Ω Współczynnik temperaturowy <150ppm/℃ Podłoże ALN Pokrywa AL2O3 Kołnierz montażowy Mosiądz Przewód Srebro o czystości 99,99% Element rezystancyjny Gruba warstwa Temperatura pracy od -55 do +150°C (patrz obniżenie mocy) Rysunek poglądowy (jednostka: mm) Długość przewodu może spełniać wymagania klienta Tolerancja rozmiaru: 5%, o ile nie określono inaczej Sugestie...
  • RFTXX-60RM2006F Rezystor kołnierzowy Rezystor RF

    RFTXX-60RM2006F Rezystor kołnierzowy Rezystor RF

    Model RFTXX-60RM2006F Moc 60 W Rezystancja XX Ω (10~2000Ω dostosowywana) Tolerancja rezystancji ±5% Pojemność 1,2 PF@100Ω Współczynnik temperaturowy <150ppm/℃ Podłoże BeO Pokrywa AL2O3 Kołnierz montażowy Mosiądz Przewód Srebro o czystości 99,99% Element rezystancyjny Gruba warstwa Temperatura pracy -55 do +150°C (patrz obniżenie mocy) Rysunek poglądowy (jednostka: mm) Długość przewodu może spełniać wymagania klienta Tolerancja rozmiaru: 5%, o ile nie określono inaczej Sugestie...
  • 5-PD08-F1190-S/700-3000MHz 700-3000MHz Dzielnik mocy RF
  • Rezystor RF RFTXX-05CR2550B

    Rezystor RF RFTXX-05CR2550B

    Model RFTXX-05CR2550B Moc 5 W Rezystancja XX Ω (10~3000Ω dostosowywana) Tolerancja rezystancji ±5% Współczynnik temperaturowy <150ppm/℃ Podłoże Element rezystancyjny BeO Gruba warstwa Temperatura pracy od -55 do +150°C (patrz de Obniżanie mocy) Rysunek techniczny (jednostka: mm) Sugerowane procedury montażu Obniżanie mocy Profil rozpływowy Oznaczenie P/N Zwróć uwagę ■ Jeśli okres przechowywania nowo zakupionych części przekroczy 6 miesięcy, należy zwrócić uwagę na ich spawalność...
  • RFT50-60TM1306 Zakończenie RF DC~6,0 GHz

    RFT50-60TM1306 Zakończenie RF DC~6,0 GHz

    Model RFT50-60TM1306(R,L,I) Zakres częstotliwości DC~6,0 GHz Moc 60 W Zakres rezystancji 50 Ω Tolerancja rezystancji ±5% VSWR 1,25 maks. Współczynnik temperaturowy <150 ppm/℃ Materiał podłoża BeOO Materiał nasadki Al2O3 Kołnierz Miedź niklowana Ołów Srebro próby 99,99% Technologia rezystancji Gruba warstwa Temperatura pracy Od -55 do +150°C (patrz de Obniżanie mocy) Typowa wydajność: Sposób instalacji Obniżanie mocy Oznaczenie P/N Kwestie wymagające uwagi...
  • RFT50N-05TJ1225 DC~12,0 GHz Zakończenie wyprowadzone

    RFT50N-05TJ1225 DC~12,0 GHz Zakończenie wyprowadzone

    Model RFT50N-05TJ1225 Zakres częstotliwości DC~12,0 GHz Moc 5 W Zakres rezystancji 50 Ω Tolerancja rezystancji ±5% VSWR DC~11,0 GHz 1,25 Maks. DC~12,0 GHz 1,30 Maks. Współczynnik temperaturowy <150 ppm/℃ Materiał podłoża AlN Materiał nasadki Średni ołów Srebro próby 99,99% Technologia rezystancji Gruba warstwa Temperatura pracy od -55 do +155°C (patrz de Obniżanie mocy) Typowa wydajność: Metoda instalacji Obniżanie mocy Wykres czasu i temperatury rozpływu: Oznaczenie P/N...